郝躍
實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)主任，首席專家郝躍教授
郝躍教授，中國科學(xué)院院士，微電子學(xué)專家，安徽省阜陽人，微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士生導(dǎo)師。1958年3月生于重慶市，1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1991年在西安交通大學(xué)計(jì)算數(shù)學(xué)專業(yè)獲博士學(xué)位。九三學(xué)社第十四屆中央委員會(huì)常委和九三學(xué)社陜西省委主委、中國電子學(xué)會(huì)副理事長、國際IEEE學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員。
他是國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)"核心電子器件、高端通用芯片和基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品"科技重大專項(xiàng)實(shí)施專家組組長、國務(wù)院第七屆學(xué)科評(píng)議組(電子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科)召集人、國家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部主任、高等院校電子信息類專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)主任委員、教育部科技委委員、國家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃(973計(jì)劃)項(xiàng)目首席科學(xué)家、陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)副主席、微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專家。他是第九、第十、第十三屆全國政協(xié)委員和第十一屆全國人大代表。2013年11月當(dāng)選中國科學(xué)院院士。
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
主要研究方向：
1.寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件
2. 微納半導(dǎo)體新器件及其可靠性
3. SoC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)方法學(xué)
教學(xué)與科研成果：
成果獲得國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等1項(xiàng)（2009年），國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等2項(xiàng)（2008年、2015年），國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)三等1項(xiàng)（1998年）；國家級(jí)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)（2018年）和國家級(jí)教學(xué)成果二等獎(jiǎng)1項(xiàng)（2014年）；獲得國家發(fā)明專利授權(quán)近百項(xiàng)；出版《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》、《碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)》、《集成電路制造動(dòng)力學(xué)理論與方法》和《微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理》、《NITRIDE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICES》等多部著作，在國內(nèi)外著名期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文500余篇；2010年榮獲“何梁何利”科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。
